जापान की सार्वभौमिक स्मृति सफलता ऊर्जा को कम करती है, गति को बढ़ाती है | Infinium-tech

जापान में वैज्ञानिकों की एक टीम ने एक नए प्रकार की “सार्वभौमिक मेमोरी” तकनीक विकसित की है जो भविष्य के कंप्यूटिंग उपकरणों में प्रसंस्करण गति को बढ़ाते हुए ऊर्जा की खपत को काफी कम कर सकती है। सफलता, जो मैग्नेटोरेसिस्टिव रैंडम एक्सेस मेमोरी (एमआरएएम) के एक बेहतर रूप पर केंद्रित है, निरंतर बिजली की आपूर्ति के बिना जानकारी बनाए रखने की क्षमता के साथ रैम की गति को मिलाकर वर्तमान मेमोरी प्रौद्योगिकियों में एक महत्वपूर्ण चुनौती को संबोधित करता है।

पिछली MRAM सीमाओं पर काबू पाना

के अनुसार अध्ययन 25 दिसंबर, 2024 को एडवांस्ड साइंस जर्नल में प्रकाशित, नई विकसित MRAM तकनीक उन उच्च ऊर्जा आवश्यकताओं को पार करती है जिनकी पारंपरिक रूप से सीमित MRAM कार्यान्वयन है। जबकि पारंपरिक MRAM डिवाइस स्टैंडबाय मोड में न्यूनतम शक्ति का उपभोग करते हैं, उन्हें चुम्बकीय रूप से दिशाओं को स्विच करने के लिए पर्याप्त विद्युत प्रवाह की आवश्यकता होती है जो बाइनरी मूल्यों का प्रतिनिधित्व करते हैं, जिससे उन्हें व्यापक उपयोग के लिए अव्यवहारिक बनाया जाता है।

नवीन घटक डिजाइन

अनुसंधान टीम ने बनाया है जिसे “मल्टीफ़ेरोइक हेटरोस्ट्रक्चर” के रूप में वर्णित किया गया है, जिसमें वैनेडियम की एक अल्ट्रैथिन परत द्वारा अलग किए गए फेरोमैग्नेटिक और पीज़ोइलेक्ट्रिक सामग्री शामिल हैं। यह कॉन्फ़िगरेशन मैग्नेटाइजेशन को वर्तमान के बजाय एक विद्युत क्षेत्र द्वारा नियंत्रित करने की अनुमति देता है, जिससे बिजली की खपत में काफी कमी आती है।

वैनेडियम परत स्थिरता प्रदान करती है

पिछले एमआरएएम प्रोटोटाइप फेरोमैग्नेटिक परत में संरचनात्मक उतार -चढ़ाव के साथ संघर्ष करते थे। इसने स्थिर चुम्बकीय दिशाओं को बनाए रखना मुश्किल बना दिया। वैनेडियम परत के अलावा सामग्री के बीच एक बफर के रूप में कार्य करता है। यह बदले में इलेक्ट्रिक चार्ज को हटाने के बाद भी चुंबकीय स्थिति को संरक्षित करते हुए डिवाइस को अपने आकार और रूप को बनाए रखने में सक्षम बनाने में मदद करता है।

भविष्य के प्रभाव और विचार

शोधकर्ताओं के अनुसार, उनके प्रोटोटाइप ने न्यूनतम विद्युत प्रवाह का उपयोग करके मैग्नेटाइजेशन दिशा को स्विच करने की क्षमता का प्रदर्शन किया। हालांकि, अध्ययन ने समय के साथ दक्षता स्विच करने में संभावित गिरावट को संबोधित नहीं किया। यह विद्युत उपकरणों में एक सामान्य मुद्दा है।

यह तकनीक संभावित रूप से लंबे डिवाइस जीवनकाल के साथ अधिक शक्तिशाली वाणिज्यिक कंप्यूटिंग को सक्षम कर सकती है, क्योंकि इसे पिछले समाधानों की तुलना में काफी कम शक्ति की आवश्यकता होती है और चलती भागों की आवश्यकता के बिना वर्तमान रैम प्रौद्योगिकियों की तुलना में अधिक लचीलापन प्रदान करता है।